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Mosfet De Potencia

Los 10 mejores productos de julio de 2025
Última actualización: 17 de julio de 2025
Fasizi
Fasizi
Fasizi 10 transistores MOSFET IRF3205 de 110 A y 55 V, Canal N, MOSFET de Potencia TO-220AB para Control y regulación de Motores de conmutación de Alta Potencia.
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76

CALIDAD BUENA

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#8

  • Alta capacidad de manejo de potencia: Estos transistores MOSFET IRF3205 son capaces de manejar hasta 110 A de corriente de drenaje, lo que los hace ideales para aplicaciones de alta potencia como control de motores, regulación de potencia y tareas de conmutación. Ofrecen un rendimiento fiable en condiciones exigentes.
  • Voltaje máximo robusto: con una clasificación de voltaje máximo de 55 V, el MOSFET IRF3205 es perfecto para circuitos que requieren un rendimiento estable en condiciones de voltaje moderado a alto, lo que garantiza la seguridad y la eficiencia durante el funcionamiento.
  • Amplio rango de temperatura de funcionamiento: los MOSFET pueden funcionar eficazmente en temperaturas que oscilan entre -55 °C y 175 °C, lo que los hace adecuados para una variedad de entornos, desde duras condiciones exteriores hasta aplicaciones industriales y automotrices.
  • Polaridad NMOS versátil: Con polaridad MOSFET de canal N, estos transistores se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para una conmutación de potencia eficiente. Son compatibles con diversas aplicaciones, como la automoción, la robótica y la maquinaria industrial.
  • Clasificación de potencia confiable: con una disipación de potencia máxima de 200 W, el MOSFET IRF3205 está diseñado para manejar cargas de energía sustanciales sin comprometer su confiabilidad, lo que lo convierte en un componente crucial en los sistemas de administración de energía.
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YUEYUAN
YUEYUAN
12pcs Módulo de controlador Mosfet, DC 5V-36V 15A MOSFET Switch Drive Module, 12pcs 400W Módulo de Accionamiento del Interruptor de Disparo MOSFET de Alta Potencia Dual
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CALIDAD BUENA

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#10

  • Salida de alta potencia Dual MOS: Salida activa paralela Dual MOS, menor resistencia interna, mayor corriente, puede reducir eficazmente la pérdida de conducción, velocidad de conducción rápida. Temperatura de funcionamiento: -40-85℃, DC 5V - 36V, corriente continua 15A a temperatura ambiente, potencia 400W. corriente máxima hasta 30A en condiciones de refrigeración auxiliar.
  • NMOS mejorado: Este NMOS tiene una baja distorsión de señal cuando amplifica señales fuertes y una mejor resistencia a la modulación cruzada. Alta frecuencia de corte, fuerte ganancia de potencia y bajo ruido. La conductancia de entrada es estable y dispone de un circuito interno de protección para un funcionamiento estable y fiable. El controlador es adecuado para su uso cuando la fuente está conectada a tierra (accionamiento de gama baja).
  • Fuente de señal de disparo: digital de alto y bajo nivel (DC3.3V-20V), se puede conectar al puerto IO del microcontrolador, interfaz PLC, fuente de alimentación DC, etc., se puede conectar a la señal PWM, frecuencia de la señal 0-20KHZ soporte perfecto PWM/TRIG.
  • Composición de la combinación: El MOS FET módulo de controlador consiste en 2 módulos del conductor del interruptor del disparador del MOS de la alta potencia y un tablero de control con los tubos del efecto de campo para fijar los interruptores electrónicos. Utiliza señales de salida activas paralelas MOS dobles, mostrando menor resistencia interna, mayor corriente y energía.
  • Ampliamente utilizado: El MOSFET switch drive module no sólo se utiliza en microprocesadores, microcontroladores y otros procesamientos de señales digitales, el tablero del conductor también se puede utilizar en circuitos integrados para el procesamiento de señales analógicas. Por ejemplo equipos de potencia, microcontrolador puerto IO, interfaz PLC, motor DC, bombilla, motor DC,, válvula solenoide, etc. potencia, entrada PWM, control de velocidad del motor, brillo de la lámpara, etc.
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